دیتاشیت IPP600N25N3 G
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPP600N25N3 G |
|---|---|
| حجم فایل | 75.383 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 11 |
دانلود دیتاشیت IPP600N25N3 G |
IPP600N25N3 G Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPP600N25N3 G
- Power Dissipation (Pd): 136W
- Drain Source Voltage (Vdss): 250V
- Continuous Drain Current (Id): 25A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@90uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@10V,25A
- Package: TO-220-3
- Manufacturer: Infineon Technologies
